什么是二次结构和一次结构

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

ˇ▽ˇ ...铆接结构、二次电池顶盖及二次电池专利,提高电池的稳定性和安全性金融界 2024 年 7 月 28 日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市长盈精密技术股份有限公司申请一项名为“铆接结构、二次电池顶盖及二次电池“,公开号 CN202410449285.0,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,一种铆接结构,包括第一铆接块、与所述第一铆接块铆接固定的第二...

≥＾≤

╯▽╰ ...制备方法、及二次电池专利,保证硅负极材料于循环过程中的结构稳定性及二次电池“,公开号 CN202410392422.1,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,本发明提供了一种硅氧负极材料及其制备方法、及二次电... 90%。此硅氧负极材料不仅能有效抑制硅的膨胀,还能释放材料颗粒内部的应力,以保证硅负极材料于循环过程中的结构稳定性。本文源自金融...

ˇωˇ

华羿微电申请一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法专利,有效...华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法“,公开号 CN202410865371.X ,申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示,本发明公开了一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法,通过采用两次屏蔽多晶硅刻蚀和两次第一氧化层刻蚀,刻蚀后在屏蔽...

...凹凸结构设计的轮毂端壁在减少二次流损失的效果上可能比较弱的问题相邻两个叶片之间的轮毂端壁形成为叶片通道的底面,每个叶片通道内的轮毂端壁具有相同的结构,均为从第一侧面到第二侧面形成上凸到下凹的三维曲面结构,每个三维曲面结构的造型均由高度分布造型函数生成。本发明解决了现有技术中局部凹凸结构设计的轮毂端壁,在减少二次流损...

(ˉ▽ˉ；)

ˇ＾ˇ 亚成微取得一种线性平面功率 VDMOS 结构及其制备方法专利,解决...用于解决现有 VDMOS 结构只适用于小尺寸功率 MOS,且采用高浓度高能杂质离子注入与二次退火方案形成势垒屏蔽结构时工艺实现困难、稳定性较差,以及 JFET 区电阻过大的技术问题。本发明提供的 VDMOS 结构制备方法,增加了一次光刻和刻蚀工艺,并采用普通低能离子注入和退火...

赛力斯和北汽蓝谷走势结构分析 7.6在周线结构上面是一个底部股向上的反弹,压力位就是在八点零二元前期突破了一次,没有过,现在第二次看样子是突破了,昨天又是一个涨停,看一下从三点五六这里是一个上涨结构。 这里如果看成是一买,这里反拉一笔下跌,背持点实际上是在这里,可以从这位置看这是个二买,二买向上的...

⊙＾⊙

(#｀′)凸 ...装配式隔墙生产系统和生产方法专利,可实现二次结构隔墙的一次性构建和将表面装饰单元加工处理后的隔墙基材输送回仓储单元中储存;通过本发明提供的生产系统生产得到了集装饰建筑功能为一体的轻质装配式隔墙,可实现二次结构隔墙的一次性构建,避免了二次结构隔墙的砌筑与装饰工序分开进行时存在的建筑垃圾多,施工效率低和施工综合成本高的问...

第687章神秘大金主幽龙的人还没完全搞清楚这基地的结构,我们能袭击他们一次,就能袭击他们两次。” “黑暗佛陀”笑道:“不过这秀才战力确实惊人,竟然能在逆... “你们…你们到底是什么人?”一个敦实的特工声音虚弱地道,他知道自己要死了,但还是想死一个明白。 “你还真是傻,难怪要做一个糊涂鬼,你...

天正电气申请二次接线端子结构及抽屉柜专利,专利技术能使插头和...金融界2024年2月7日消息,据国家知识产权局公告,浙江天正电气股份有限公司申请一项名为“一种二次接线端子结构及抽屉柜“,公开号CN117526147A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明公开了一种二次接线端子结构及抽屉柜,其中二次接线端子结构包括插头、框架、抽屉...

...专利技术能有效避免铲伤嵌件金具和降低对嵌件金具造成压模的风险金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市凯中精密技术股份有限公司取得一项名为“一种二次滑块结构及注塑模具“,授权公告号CN221112711U,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种二次滑块结构及注塑模具,二次滑块结构包括安装座和小...