什么晶体可以养_什么晶体是红色的

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ˇ＾ˇ 京东方A申请电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法专利,能够...所述源漏金属层具有与所述半导体层表面直接连接的接触层;所述碳纳米管薄膜晶体管的制备方法包括:形成所述接触层,使得所述接触层不含有贵金属且功函数不小于4.65eV。该碳纳米管薄膜晶体管的制备方法,能够减小碳纳米管薄膜晶体管的制备方法的源漏电极与半导体层之间的空穴...

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三星申请纳米片晶体管半导体器件专利,半导体器件可以包括基板和...金融界2024年4月9日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括纳米片晶体管的半导体器件“,公开号CN117855249A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,半导体器件可以包括:基板,包括第一行区域和第二行区域,其中基板的表面设置在第一方向和垂直于第一...

北京大学申请堆叠晶体管专利,制备方法包括在衬底结构上形成有源结构金融界2024年4月13日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备“,公开号CN117878061A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中,制备方法包括:在衬...