什么晶体可以做半导体

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什么晶体可以做半导体材料

三星取得有带对准栅电极的垂直晶体管的半导体器件及其制造方法专利...金融界2024年1月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“有带对准栅电极的垂直晶体管的半导体器件及其制造方法“,授权公告号CN108511526B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示,一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶...

可以做晶体的材料

具有晶体结构的半导体

北京大学申请半导体制备方法、半导体结构和芯片专利,能够为具有BDI...本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括:在第一衬底上形成第一晶体管和第二晶体管,其中,第一晶体管和第二晶体管... 在第一外延结构上形成第二外延结构,其中,第一外延结构和第二外延结构构成静电放电路径。通过本申请的方案,能够为具有BDI层的GAA晶体...

晶体是半导体材料吗

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半导体晶体有哪些

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,降低晶体管的功耗,提高半...第一字线相对的表面均与有源柱形成第一栅极通道,第二字线相对的表面与有源柱形成第二栅极通道,第一栅极通道沿第一方向的宽度和第二栅极通道沿第一方向的宽度之和大于有源柱的周长。本公开用于增加栅极通道的宽度,降低了晶体管的功耗,提高了半导体结构的性能。本文源自金...

适合做晶体的物质

半导体晶体中能带如何形成的

华为公司申请包含垂直晶体管的芯片专利,利用半导体沟道调节垂直...涉及半导体技术领域。该芯片包括多个垂直晶体管,多个垂直晶体管的半导体沟道包括第一半导体沟道和第二半导体沟道,且第二半导体沟道设置于第一凹槽中。并且,第一半导体沟道与垂直晶体管的第一极和第二极都直接接触,第二半导体与第二极直接接触。本申请可以利用第一半导体...

半导体材料又叫晶体材料

苹果公司取得鳍式场效晶体管技术中的半导体布局专利,调节对晶体管...金融界2023年12月20日消息,据国家知识产权局公告,苹果公司取得一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“,授权公告号CN111066153B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示,描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方法。在各种实施方案中,集成电路被分成许多...

台积电取得半导体装置专利,提供介电区域包括在纳米结构晶体管之中...金融界2023年12月18日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利,授权公告号CN220189656U,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体装置,提供介电区域包括在纳米结构晶体管之中的半导体装置。介电区域,可以对应于...

三星取得具有多栅极晶体管结构的半导体装置专利,半导体装置的设计...金融界2023年12月16日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“具有多栅极晶体管结构的半导体装置“,授权公告号CN109037202B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,本申请公开一种半导体装置。所述半导体装置包括:单元区,其包括在第一方向上延伸的第一...

华为公司申请晶体管和电子设备专利,可以改善纳米管晶体管在栅长...金融界2023年12月26日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“晶体管和电子设备“的专利,公开号CN117295342A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种晶体管和电子设备,涉及半导体技术领域,可以改善纳米管晶体管在栅长缩短至一定尺...

(＊?↓˙＊) 具有千个晶体管的二维半导体问世 数据处理效率飙升【CNMO新闻】11月14日,CNMO了解到,具有千个晶体管的二维半导体问世。据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器,专用于数据处理中的基本运算之一:向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中...

具有千个晶体管的二维半导体问世【具有千个晶体管的二维半导体问世】财联社11月14日电,据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器,专用于数据处理中的基本运算之一:向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在,其效率的...