晶体管是什么时候发明的

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2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元。 据介绍,自20世纪80年代以来,绝缘栅双极晶体管已经成为一种重要的半导体器件,在全球范围内得到广泛应用。绝缘栅双...

＞﹏＜ 杰华特获得发明专利授权:“晶体管控制电路及方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示杰华特(688141)新获得一项发明专利授权,专利名为“晶体管控制电路及方法”,专利申请号为CN201811142648.7,授权日为2024年8月23日。专利摘要:本发明公开了一种晶体管控制电路及方法,所述晶体管控制电路包括电流设置电路,所述电流设置...

京东方A获得发明专利授权:“一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示京东方A(000725)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统”,专利申请号为CN202011267528.7,授权日为2024年8月20日。专利摘要:本发明提供了一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统,所述方法...

格科微(上海)申请一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体...金融界 2024 年 9 月 3 日消息,天眼查知识产权信息显示,格科微电子(上海)有限公司申请一项名为“一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体器件“,公开号 CN202310201027.6,申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示,本发明提供一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法,包括...

...图像传感器形成方法等专利,通过自对准方案形成立体结构功能晶体管金融界 2024 年 9 月 3 日消息,天眼查知识产权信息显示,格科微电子(上海)有限公司申请一项名为“一种图像传感器形成方法、图像传感器及晶体管结构版图“,公开号 CN202310201546.2,申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示,本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:半导体器件的...

晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管【晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管】财联社8月15日电,近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用...

中国科学家基于石墨烯等材料发明新型“热发射极”晶体管北京时间8月14日夜间,相关成果论文以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题在国际著名学术期刊《自然》(Nature)发表。本次研究发明的一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管。中国科学院金属所/供图 合作团队介绍说,晶体管是集成电路的基本单元。随着...

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中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,登上 NatureIT之家 8 月 15 日消息,据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的...

我国科学家发明新型“热发射极”晶体管未能展示出热载流子晶体管的真正性能。 石墨烯等低维材料具有原子级厚度、优异的电学和光电性能,且无表面悬键,易与不同材料形成异质结从而产生丰富的能带组合。基于此,科研人员提出了使用石墨烯等低维材料、通过可控调制热载流子以提高电流密度的研究思路,发明了一种“受...

京东方A获得发明专利授权:“薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、...证券之星消息,根据企查查数据显示京东方A(000725)新获得一项发明专利授权,专利名为“薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板”,专利申请号为CN202110665949.3,授权日为2024年8月6日。专利摘要:本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板...