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什么叫随机存取存储器

时间:2024-09-21 22:09 阅读数:7199人阅读

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...非易失FPGA中的嵌入式块随机存取存储器中使之具备本地计算的功能多功能字线驱动器与多功能区的字线相连,单功能字线驱动器与存储区的字线相连;感应放大器包括高精度感应放大器和普通感应放大器,高精度感应放大器连接于交叉栅的一个端口。本发明将基于NVM的CiM架构以低面积代价适配到非易失FPGA中的嵌入式块随机存取存储器中,使之具备...

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达发(苏州)申请存储器存取控制方法及光网络单元路由器专利,减少网络...该核请求分配存储器空间;依据该核的标识码从多个分配队列决定出一个;以及从共享资源池中的提取索引所指出的槽开始出列一个或者多个项目,并且将所述项目从决定出的分配队列中的写入索引所指出的空槽开始入列到决定出的分配队列,其中,每个项目包含随机存取存储器的一段存储...

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2024年中国动态随机存取存储器行业发展现状、竞争格局及趋势预测半导体存储器利用半导体介质实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。按照是否需要持续通电以维持数据,半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM需要维持通电以保存数据供主系统CPU读写和处理。RAM根据是...

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台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“双端口静态随机存取存储器单元电路“,公开号 CN202410494777.1 ,申请日期为 2024 年 4 月 。专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路,包括...

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台积电取得静态随机存取存储器装置专利,提高存储性能金融界 2024 年 7 月 21 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置“,授权公告号 CN21381673U,申请日期为 2023 年 11 月。专利摘要显示,本新型的一面向涉及静态随机存取存储器装置。此静态随机存取存储器装置包含基...

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台积电申请静态随机存取存储器及其制造方法专利,涉及制造静态随机...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器及其制造方法“,公开号CN202410178578.X,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,一种静态随机存取存储器(SRAM)包括:第一CFET堆叠和第二CFET堆叠,每个CF...

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三星取得动态随机存取存储器装置专利,存储器单元阵列可排列为具有...金融界2024年4月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“动态随机存取存储器装置“,授权公告号CN109903795B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示,一种动态随机存取存储器(DRAM)装置包括:存储器单元阵列,其包括第一子存储器单元阵列块和第二子存...

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晶合集成申请静态随机存取存储器单元的制备方法专利,提高静态随机...金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器单元的制备方法“,公开号CN117858496A,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法,包括:提供衬底,衬底中形成有...

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∪▂∪ 三星取得磁阻随机存取存储器件及其制造方法专利,该专利技术能实现...金融界2024年4月4日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“磁阻随机存取存储器件及其制造方法“,授权公告号CN109713122B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括:在基板的上表面上形成第一电...

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(ˉ▽ˉ;) 三星取得相变随机存取存储器专利,专利技术能够执行包括复位阶段和...金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法”的专利,授权公告号CN111326190B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一种相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法。一种存储器系统包括:存储器...

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