晶体取向差有几种

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●＾● 天岳先进申请测试碳化硅晶体取向专利,扩宽了检测范围金融界2023年11月25日消息,据国家知识产权局公告,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种测试碳化硅晶体主参考面取向的方法“,公开号CN117110337A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种测试碳化硅晶体主参考面取向的方法,该方法可适用不同厚...

＞▂＜ 风华高科取得一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法专利,该方法具有...退火处理的温度及保温时间,从而实现对Pt膜层晶体取向的调控。该方法得到的Pt膜层具有晶体取向多样、致密性高、TCR高及线性度好的优势,且该方法具有成本低、易操作、易实现批量或规模化生产、成品率高、稳定性高、所得的膜性能优越等特点,为推动Pt温度传感器的发展具有积...

风华高科获得发明专利授权:“一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法...从而实现对Pt膜层晶体取向的调控。该方法得到的Pt膜层具有晶体取向多样、致密性高、TCR高及线性度好的优势,且该方法具有成本低、易操作、易实现批量或规模化生产、成品率高、稳定性高、所得的膜性能优越等特点,为推动Pt温度传感器的发展具有积极作用。今年以来风华高科...