晶体管是什么器件_晶体管是什么器件

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...(上海)申请一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体器件专...金融界 2024 年 9 月 3 日消息,天眼查知识产权信息显示,格科微电子(上海)有限公司申请一项名为“一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体器件“,公开号 CN202310201027.6,申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示,本发明提供一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法,包括...

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维信诺申请薄膜晶体管相关专利,实现检测背沟道效应对薄膜晶体管的...金融界2024年9月6日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥维信诺科技有限公司、维信诺科技股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管的测试方法、测试装置、测试设备和存储介质“,公开号CN202410225985.1,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本申请提供了一种薄膜晶体管的测试...

合肥艾创微取得一种氧化镓场效应晶体管专利,能改善器件的转换效率...金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥艾创微电子科技有限公司取得一项名为“一种氧化镓场效应晶体管“,授权公告号... 也即降低了电荷量,充电时间就会变短,电荷提供的越快,器件的电压改变的也就越快,因此栅、源输入电容的降低能改善器件的转换效率及频率特...

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⊙ω⊙ 2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元。 据介绍,自20世纪80年代以来,绝缘栅双极晶体管已经成为一种重要的半导体器件,在全球范围内得到广泛应用。绝缘栅双...

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台积电申请半导体器件及其形成方法专利,包含堆叠晶体管和形成方法金融界2024年8月28日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“,公开号 CN202410539475.1 ,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,各个实施例包括堆叠晶体管和形成堆叠晶体管的方法。在实施例中,器件包括:第一纳...

比亚迪申请晶体管和用电设备专利,提高晶体管的耐压稳定性金融界2024年9月3日消息,天眼查知识产权信息显示,比亚迪股份有限公司申请一项名为“晶体管和用电设备“,公开号CN202410683547.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,一种晶体管和用电设备,晶体管包括P+型屏蔽层、肖特基电极、N型接触区;其中,P+型屏蔽层包括第一面;肖特...

...图像传感器形成方法等专利,通过自对准方案形成立体结构功能晶体管金融界 2024 年 9 月 3 日消息,天眼查知识产权信息显示,格科微电子(上海)有限公司申请一项名为“一种图像传感器形成方法、图像传感器及晶体管结构版图“,公开号 CN202310201546.2,申请日期为 2023 年 3 月。专利摘要显示,本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:半导体器件的...

...一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法”专利,提高器件的特征频率金融界2024年8月22日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市诚芯微科技股份有限公司取得一项名为“一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方... 所述基区的外侧壁,本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁,可提供单轴应力,提高载流子迁移率,进而提高器件的特征频率。

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安徽长飞先进半导体申请碳化硅场效应晶体管相关专利,提高栅极沟槽...金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆“,公开号 CN202410589414.6 ,申请日期为 2024 年 5 月 。专利摘要显示,本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、...

杰华特获得发明专利授权:“晶体管控制电路及方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示杰华特(688141)新获得一项发明专利授权,专利名为“晶体管控制电路及方法”,专利申请号为CN201811142648.7,授权日为2024年8月23日。专利摘要:本发明公开了一种晶体管控制电路及方法,所述晶体管控制电路包括电流设置电路,所述电流设置...