各种晶体的导电情况

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...晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体管具有第二导电...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“... 近端掺杂层堆叠件的近端掺杂半导体层具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。本文...

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三星申请电容器制备方法专利,可提供具有导电性金红石晶体结构的...第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物,第二金属氧化物包括非贵金属,电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物,且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成,第一金属氧化物包括GeO。本文源自...

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∩ω∩ ...其的器件以及其制备方法专利,电容器可包括导电性钙钛矿型晶体结构所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三...

˙▂˙ 北京大学申请晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与...北京大学申请一项名为“基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法“,公开号CN117727635A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法,通过调整电极材料功函数和二维材料导电类型形成边缘接触...

京东方A申请薄膜晶体管和显示面板专利,专利技术能确保薄膜晶体管...本公开提供一种薄膜晶体管和显示面板,属于显示技术领域。本公开提供的一种薄膜晶体管包括:基底和设置在基底上的有源层和栅电极;其中,有源层包括第一部分和第二部分,第二部分的导电率大于第一部分的导电率;栅电极在基底上的正投影覆盖第一部分在基底上的正投影,且栅电极在基...

ˋ△ˊ 长鑫存储取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利,有利于提高半...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“,授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域具有不同的厚度,即栅极介质层对应栅极导电层和...

(#｀′)凸 芯朋微申请多poly电位晶体管专利,可使输入电容和电流密度降低且可调特别是涉及一种多poly电位的绝缘双极性晶体管及其制造方法。所述多poly电位的绝缘双极性晶体管的各元胞中包括:位于第一导电类型漂移区的第一主面的元胞区和终端区,所述终端区,位于所述元胞区外圈并环绕包围所述元胞区;所述元胞区,包括:邻近沟槽内poly电位为gate电位的元胞和...

长鑫存储取得半导体晶体管专利,改善了晶体管的稳定性和可靠性长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体晶体管的制备方法和结构”的专利,授权公告号CN108074866B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示,本发明教示一种半导体晶体管的制备方法和结构,包括,半导体衬底;栅极结构,位于半导体衬底的上表面,包括栅极导电层及位于栅极导...

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●△● 三星取得半导体装置专利,提供了一种在衬底上包括存储器单元晶体管...提供了一种在衬底上包括存储器单元晶体管的半导体装置。半导体装置包括:第一布线层,其位于存储器单元晶体管上,并且包括位线和第一导电图案;第二布线层,其位于第一布线层上,并且包括地线;第一过孔,其介于位线与存储器单元晶体管中的第一存储器单元晶体管的源极/漏极之间,并且...

...方法专利,存储器用于存储电荷以及与相连通的导电沟道进行电荷传递在所述衬底表面的至少一对晶体管;所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸;存储层;所述存储层位于晶体管一侧并与所述晶体管的导电沟道连通,且所述一对晶体管位于与所述一对晶体管对应的两层所述存储层之间;所述存储层用于存储电荷以及与相连通的所述导电沟道进行...