哪些晶体属于金属晶体

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京东方A申请电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法专利,能够...碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法“,公开号CN117881197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法,属于碳纳米管技术领域。所述碳纳米管薄膜晶体管包括层叠的半导体层和源漏金属层;所述半导体层的材料包括碳纳米管,其...

芯片放大10万倍后 晶体管竟然长这样竟然看到了一个个的晶体管。其实,芯片内部不仅仅是百亿计的晶体管,还有十几层金属层,承载了晶体管的供电、信号传输等重任,形成复杂的逻辑电路。当芯片被放大几万倍时,我们可以看到其内部的精细结构和元件。在这个放大倍数下,芯片的结构会呈现出一种类似于立交桥和高速公路...

北京大学申请自对准晶体管专利,降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的...本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件,上述方法包括:在半导体衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构;基于第一有源结构,依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属,第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构...

钙钛矿单晶薄膜技术实现突破,晶体生长周期缩短至1.5天近日,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。据介绍,金属卤化物钙钛矿是一类光电性质...

我科学家自主研发通用晶体生长技术为新一代高性能光电子器件提供...原标题:我科学家自主研发通用晶体生长技术为新一代高性能光电子器件提供丰富材料库 记者颜维琦从华东理工大学获悉,该校清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速...

华锡有色申请甲基磺酸亚锡晶体制备用洗涤装置专利,无需工作人员...金融界2024年4月6日消息,据国家知识产权局公告,广西华锡有色金属股份有限公司申请一项名为“一种甲基磺酸亚锡晶体制备用洗涤装置及使用方法“,公开号CN117816641A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种甲基磺酸亚锡晶体制备用洗涤装置,属于甲基磺酸亚...

涉及钙钛矿 华理团队研发通用晶体生长技术获突破据华东理工大学消息,华东理工大学清洁能源材料与器件团队近期自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库,相关成果发表于国际知...

?﹏? 我国科学家研发新型通用晶体生长技术记者日前从华东理工大学了解到,该校清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代高性能光电子器件提供了丰富材料库。相关成果发表于国际学术期...

...级“碎钻”长成厘米级“完美钻石” 华理团队研发通用晶体生长技术华东理工大学自主研发一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术 采访对象供图近期,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电...

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华理团队研发通用晶体生长技术,《自然-通讯》发表其成果本文转自:人民日报客户端姜泓冰近期,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库,相关成果发...