晶体管电路设计_晶体管电路设计

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昌德微电取得一种高可靠性均流设计的音频晶体管专利,提高晶体管抗...无锡昌德微电子股份有限公司取得一项名为“一种高可靠性均流设计的音频晶体管“,授权公告号CN115692469B,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种高可靠性均流设计的音频晶体管,属于晶体管领域,一种高可靠性均流设计的音频晶体管,包括电路板和晶体管外壳...

╯＾╰〉 ...取得用于集成电路布局的系统和方法专利,实现提供集成电路设计的方法公开了一种用于提供集成电路设计的方法。该方法包括接收并合成集成电路设计的表现描述。该方法包括基于合成的表现描述,通过对多个基于晶体管的单元进行布局布线来生成布局。该方法包括选择性地访问单元库,该单元库包括多个基于非晶体管的单元,多个基于非晶体管的单元中的...

台积电取得设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件专利,专利...台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件“,授权公告号CN113488095B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示,提供了一种设计电路的方法。该方法包括:设置电路;选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管;以及将具有第一鳍数量...

...取得集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法专利,提供修改后布局设计台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法“,授权公告号CN113297823B,申请日期为2021年2月。专利摘要显示,本公开涉及一种集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法,制造方法包括:接收电路设计图的初始布局设计。初始布局设计包括...

台积电申请集成电路及其制造方法专利,实现更高效的电路设计金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路及其制造方法“,公开号CN117637738A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本申请的实施例提供了一种集成电路及其制造方法。集成电路包括由宽的一型晶体管和宽的二型...

ˋ＾ˊ〉-# 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题,15日发表于《自然》期刊上。 近年来,随着晶体管尺寸不断缩小,其进一步发展在速度和功耗等方面面临着众多挑战,寻找...

晶体管家族增添新成员,我国科学家发明新型“热发射极”晶体管钛媒体App 8月15日消息,近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日...

电子设备安全性升级:上海艾为电子技术专利助力静电释放保护电路革新名为“一种端口静电释放保护电路”,专利号为CN109449156B,申请于2018年12月。该专利主要涉及一种端口静电释放保护电路,包括低压选择电路和NMOS晶体管。该保护电路的设计旨在确保NMOS管在工作过程中避免被烧毁的风险。通过采用低压选择电路,使得NMOS管的衬底电位...

京东方A申请移位寄存器专利,可大幅降低薄膜晶体管的占用面积像素驱动电路及显示装置“,公开号CN117153226A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本公开提供一种移位寄存器、像素移动电路和显示装置,属于显示技术领域。本公开的移位寄存器包括的薄膜晶体管数量少,且采用相同的宽长比设计,可以大幅降低薄膜晶体管的占用面积,从而减小...

概伦电子:发布全新数字逻辑电路仿真器VeriSim并推出面向MEMS传感...包括打造了业界领先的一体化快速电路仿真和验证平台,单元库特征化解决方案,门级、晶体管级数字电路高精度时序分析,High Sigma 仿真引擎,完整的可靠性 EDA 解决方案,领先的信号完整性分析,系统性的 ESD 分析和 Signoff 验证流程,灵活、可扩展的存储器和定制电路设计平台等,并...