晶体管是什么材料做成的

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中国科学家基于石墨烯等材料发明新型“热发射极”晶体管中新网北京8月15日电 (记者 孙自法)作为集成电路的基本单元,晶体管及其材料的相关研发进展一直备受瞩目。 记者8月15日从中国科学院金属研究所获悉,该所科研团队联合北京大学团队,最新发明一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出一种全新的“受激发...

...自对准栅极触点的晶体管单元专利,晶体管单元可以包括由第一材料...专利摘要显示,公开了包括晶体管单元的装置和制造晶体管单元的方法。晶体管单元可以包括衬底、有源区域和在有源区域中具有栅极触点的栅极。晶体管单元还可以包括由第一材料形成的栅极触点的间隔物的第一部分和由第二材料形成的栅极触点的间隔物的第二部分。本文源自金融...

北京大学申请晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与...金融界2024年3月19日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法“,公开号CN117727635A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法,通过调...

中芯集成-U 申请半导体专利,在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离第一衬底包括从第一表面至第二表面的方向依次层叠的第一半导体材料层、牺牲层、以及第二半导体材料层;在第二表面侧形成凹槽,凹槽由第二表面向第一表面延伸贯穿牺牲层;在凹槽内填充材料以形成支撑结构;在第二表面侧形成正面器件结构,正面器件结构包括晶体管;在第一表面侧形...

长鑫存储申请半导体器件专利,可在基底上形成与其材料不同的晶体管柱且沿第一方向延伸的多个第一导电结构、以及位于所述第一导电结构的表面、且沿第一方向间隔交替排布的牺牲柱和第一隔离结构;去除所述牺牲柱,形成第一凹槽;在所述第一凹槽中形成晶体管柱;其中,所述晶体管柱与所述基底的材料不同;所述第一方向与所述第二方向相交、均位于所述...

解决芯片晶体管“小身材”烦恼 上海科学家成功开发新型材料 已应用...杂志 采访对象供图二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效应等优势,是下一代集成电路芯片的理想沟道材料。据了解,三星正致力于将二维半导体材料应用于高频和低功耗芯片制造;台积电正在研究如何将二维半导体材料集成到现有半导体制程中,以提高晶体管的性能和降低...

晶体管家族增添新成员,我国科学家发明新型“热发射极”晶体管钛媒体App 8月15日消息,近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日...

我国科学家发明新型“热发射极”晶体管新华社沈阳8月15日电(记者王莹)近日,由中国科学院金属研究所刘驰、孙东明研究员和成会明院士主导,与任文才团队和北京大学张立宁团队合作使用石墨烯等低维材料,构建了一种既可以降低功耗、又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集...

八亿时空连续3个交易日上涨,期间累计涨幅2.45%北京八亿时空液晶科技股份有限公司主营业务为液晶显示材料的研发、生产和销售,主要产品为高性能薄膜晶体管TFT(ThinFilmTransistor)等多种混合液晶材料。公司是我国液晶显示材料国家标准的主要起草者,数项液晶材料产品走在国内前列并成功实现产业化。公司也是我国液晶面板龙...

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≥＾≤ 中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,登上 NatureIT之家 8 月 15 日消息,据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的...