晶体管是什么材料_晶体管是什么材料做成的

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...自对准栅极触点的晶体管单元专利,晶体管单元可以包括由第一材料...专利摘要显示,公开了包括晶体管单元的装置和制造晶体管单元的方法。晶体管单元可以包括衬底、有源区域和在有源区域中具有栅极触点的栅极。晶体管单元还可以包括由第一材料形成的栅极触点的间隔物的第一部分和由第二材料形成的栅极触点的间隔物的第二部分。本文源自金融...

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北京大学申请晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与...金融界2024年3月19日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法“,公开号CN117727635A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法,通过调...

中国科学家基于石墨烯等材料发明新型“热发射极”晶体管中新网北京8月15日电 (记者 孙自法)作为集成电路的基本单元,晶体管及其材料的相关研发进展一直备受瞩目。 记者8月15日从中国科学院金属研究所获悉,该所科研团队联合北京大学团队,最新发明一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出一种全新的“受激发...

中芯集成-U 申请半导体专利,在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离第一衬底包括从第一表面至第二表面的方向依次层叠的第一半导体材料层、牺牲层、以及第二半导体材料层;在第二表面侧形成凹槽,凹槽由第二表面向第一表面延伸贯穿牺牲层;在凹槽内填充材料以形成支撑结构;在第二表面侧形成正面器件结构,正面器件结构包括晶体管;在第一表面侧形...

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＋＾＋ 解决芯片晶体管“小身材”烦恼 上海科学家成功开发新型材料 已应用...杂志 采访对象供图二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效应等优势,是下一代集成电路芯片的理想沟道材料。据了解,三星正致力于将二维半导体材料应用于高频和低功耗芯片制造;台积电正在研究如何将二维半导体材料集成到现有半导体制程中,以提高晶体管的性能和降低...

长鑫存储申请半导体器件专利,可在基底上形成与其材料不同的晶体管柱且沿第一方向延伸的多个第一导电结构、以及位于所述第一导电结构的表面、且沿第一方向间隔交替排布的牺牲柱和第一隔离结构;去除所述牺牲柱,形成第一凹槽;在所述第一凹槽中形成晶体管柱;其中,所述晶体管柱与所述基底的材料不同;所述第一方向与所述第二方向相交、均位于所述...

三安光电:SiC MOSFET获新能源汽车客户验证三安光电(股票代码:600703)近期在互动平台上透露,其湖南子公司正加速推进车规级市场布局,特别是针对SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)的应用,目前该产品已在重点新能源汽车客户处开展可靠性验证阶段,标志着公司在高端半导体材料应用上迈出重要一步。此外,...

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丝绸与石墨烯:编织电子的未来研究人员已经开发出一种在石墨烯上创建二维丝蛋白层的方法,增强了其在微电子领域的潜力,特别是在可穿戴和植入式健康传感器以及计算中的存储晶体管方面。 这一创新提供了一种无毒、水性和生物相容性的系统,有可能彻底改变丝绸在奢侈品材料和高科技行业的应用。这项研究为...

o(?""?o 电子学和生物学碰撞,科学家研发新型混合生物晶体管IT之家 11 月 30 日消息,以天玑 9300 为例,该智能手机芯片包含了 227 亿个微型晶体管,这些晶体管由硅、金和铜等金属以及绝缘体制成,共同吸收电流并将其转换为 1 和 0 以传达信息并存储信息。晶体管材料主要来自岩石和金属,通常是无机的。不过塔夫茨大学 Silklab 团队首次用生物丝...

华为石墨烯晶体管专利公开,速度提升千倍,国产芯片迎来逆转机遇近日,华为公开了其石墨烯晶体管专利,这一重要突破带来了国产芯片产业的逆转机遇。这一专利的公开,不仅是华为技术创新的重要成果,更是中国科技行业的一大利好,将为中国科技行业注入新的活力,也将在全球范围内引领科技创新浪潮。 石墨烯晶体管是一种新型的半导体材料,具有...