晶体管_晶体管

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全新4nm制程加持:AMD Zen 5 CCD晶体管密度提升27%AMD已经发布了Zen 5架构处理器以及部分性能指标,并且表示将会在这个月底正式发售,只是在Tech Day上AMD没有公布关于CPU的核心参数,例如晶体管密度和核心面积,不过在Tech Day上有人对着Zen 5处理器的实物进行了一顿分析,从而推测出了一些指标。根据推测的指标,得益于最...

瑞能半导取得碳化硅沟槽栅晶体管制造方法专利,降低沟槽栅晶体管的...金融界 2024 年 7 月 12 日消息,天眼查知识产权信息显示,瑞能半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法“,授权公告号 CN111769156B,申请日期为 2020 年 7 月。专利摘要显示,本发明公开一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法。碳化硅沟槽栅晶体...

AMD Granite Ridge 和 Strix Point Zen 5 尺寸 / 晶体管数量曝光IT之家 7 月 17 日消息,德国手机媒体 HardwareLuxx 昨日(7 月 16 日)发布博文,分享了 AMD 锐龙 9000 系列“Granite Ridge”处理器、锐龙 AI 300 系列“Strix Point”处理器的尺寸、晶体管数量等信息。AMD 锐龙 AI 300 系列“Strix Point”处理器工艺锐龙 AI 300 系列“Strix Point”处...

∪０∪ 八亿时空连续3个交易日上涨,期间累计涨幅6.35%主要产品为高性能薄膜晶体管TFT(ThinFilmTransistor)等多种混合液晶材料。公司是我国液晶显示材料国家标准的主要起草者,数项液晶材料产品走在国内前列并成功实现产业化。公司也是我国液晶面板龙头企业京东方国产TFT液晶材料的战略供应商,客户资源优势及市场影响力彰显。公...

华微电子申请双芯肖特基晶体管专利,提高电流承载能力金融界 2024 年 7 月 12 日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“双芯肖特基晶体管及其制备方法“,公开号 CN202410488577.5,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种双芯肖特基晶体管及其制备方法,涉及半导体器件制造技...

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晶合集成取得晶体管测试方法及存储器监控方法专利,能全面地对待测...金融界2024年7月10日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“晶体管测试方法及存储器监控方法“,授权公告号CN118039522B,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本申请涉及一种晶体管测试方法及存储器监控方法。该晶体管测试方法包括:向...

o(╯□╰)o 龙腾光电取得薄膜晶体管阵列基板专利,能有效地避免薄膜晶体管器件...金融界2024年7月9日消息,天眼查知识产权信息显示,昆山龙腾光电股份有限公司取得一项名为“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置“,授权公告号CN221304692U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,一种薄膜晶体管阵列基板,包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、半导...

中芯集成-U 申请半导体专利,在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离正面器件结构包括晶体管;在第一表面侧形成释放孔,释放孔由第一表面向第二表面延伸直至暴露牺牲层;通过释放孔去除至少部分牺牲层,以在被去除的牺牲层的位置处形成空腔,空腔用于在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离。由此,有利于避免器件塌陷,降低工艺难度,保障器件性能...

龙腾光电获得实用新型专利授权:“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和...证券之星消息,根据企查查数据显示龙腾光电(688055)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置”,专利申请号为CN202322927302.0,授权日为2024年7月9日。专利摘要:一种薄膜晶体管阵列基板,包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、半导...

芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利,可优化器件的性能金融界2024年7月7日消息,天眼查知识产权信息显示,上海芯导电子科技股份有限公司取得一项名为“一种自对准的场效应晶体管及其制备方法“,授权公告号CN113299599B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示,本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法,于硅基外延层的表面...