晶体管电路设计书籍pdf

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昌德微电取得一种高可靠性均流设计的音频晶体管专利,提高晶体管抗...无锡昌德微电子股份有限公司取得一项名为“一种高可靠性均流设计的音频晶体管“,授权公告号CN115692469B,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种高可靠性均流设计的音频晶体管,属于晶体管领域,一种高可靠性均流设计的音频晶体管,包括电路板和晶体管外壳...

...取得用于集成电路布局的系统和方法专利,实现提供集成电路设计的方法公开了一种用于提供集成电路设计的方法。该方法包括接收并合成集成电路设计的表现描述。该方法包括基于合成的表现描述,通过对多个基于晶体管的单元进行布局布线来生成布局。该方法包括选择性地访问单元库,该单元库包括多个基于非晶体管的单元,多个基于非晶体管的单元中的...

台积电取得设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件专利,专利...台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件“,授权公告号CN113488095B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示,提供了一种设计电路的方法。该方法包括:设置电路;选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管;以及将具有第一鳍数量...

...取得集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法专利,提供修改后布局设计台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法“,授权公告号CN113297823B,申请日期为2021年2月。专利摘要显示,本公开涉及一种集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法,制造方法包括:接收电路设计图的初始布局设计。初始布局设计包括...

我国科学家发明新型“热发射极”晶体管又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题,15日发表于《自然》期刊上。 近年来,随着晶体管尺寸不断缩小,其进一步发展在速度和功耗等方面面临着众多挑战,寻找...

●ω● 电子设备安全性升级:上海艾为电子技术专利助力静电释放保护电路革新名为“一种端口静电释放保护电路”,专利号为CN109449156B,申请于2018年12月。该专利主要涉及一种端口静电释放保护电路,包括低压选择电路和NMOS晶体管。该保护电路的设计旨在确保NMOS管在工作过程中避免被烧毁的风险。通过采用低压选择电路,使得NMOS管的衬底电位...

京东方A申请移位寄存器专利,可大幅降低薄膜晶体管的占用面积像素驱动电路及显示装置“,公开号CN117153226A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本公开提供一种移位寄存器、像素移动电路和显示装置,属于显示技术领域。本公开的移位寄存器包括的薄膜晶体管数量少,且采用相同的宽长比设计,可以大幅降低薄膜晶体管的占用面积,从而减小...

↓。υ。↓ 日本将对半导体和量子相关4品类实施出口管制以及三星电子公司采用的用于改进半导体设计的全栅晶体管技术。日本还将要求量子计算机中使用的低温CMOS电路以及量子计算机本身的运输获得许可证。相关报道日本经济产业省周五表示,此举旨在更好地监管军事用途零部件的出口,并与世界各地的类似举措保持一致。日本经济产...

日本将收紧对更多芯片和量子技术的出口管制三星电子为改进半导体设计而采用的全环绕栅极晶体管技术。日本还将要求出口用于量子计算机的低温CMOS电路及出口量子计算机本身须获得许可。日本经济产业省周五表示,此举旨在更好地监管有军用用途的零部件出口,并与全球其他国家的类似行动保持一致。它表示,在公众意见征...

华为公司申请环形反相器专利,提高电子设备的性能存储电路、存储器及电子设备“,公开号CN117765991A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请提供一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备,涉及半导体设计与制造技术领域,采用垂直晶体管制作环形反相器,可以减少环形反相器的占用面积,提高环形反相器的集成...