哪些晶体能导电_哪些晶体能导电

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三星取得半导体装置专利,提供了一种在衬底上包括存储器单元晶体管...提供了一种在衬底上包括存储器单元晶体管的半导体装置。半导体装置包括:第一布线层,其位于存储器单元晶体管上,并且包括位线和第一导电图案;第二布线层,其位于第一布线层上,并且包括地线;第一过孔,其介于位线与存储器单元晶体管中的第一存储器单元晶体管的源极/漏极之间,并且...

∩ω∩ 三星申请电容器制备方法专利,可提供具有导电性金红石晶体结构的...第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物,第二金属氧化物包括非贵金属,电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物,且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成,第一金属氧化物包括GeO。本文源自...

...其的器件以及其制备方法专利,电容器可包括导电性钙钛矿型晶体结构所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三...

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华为公司申请有源巴伦放大器专利,提供一种有源巴伦放大器晶体管,所述第一多个MOS晶体管包括第一导电类型的第一输入晶体管、第二导电类型的第二输入晶体管,以及串联布置在所述第一输入晶体管与所述第二输入晶体管之间的至少两个公共栅极晶体管,其中,所述第一输入晶体管的栅极和所述第二输入晶体管的栅极连接到公共输入端;串联布...

?＾? 北京大学申请晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与...北京大学申请一项名为“基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法“,公开号CN117727635A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法,通过调整电极材料功函数和二维材料导电类型形成边缘接触...

长鑫存储取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利,有利于提高半...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“,授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域具有不同的厚度,即栅极介质层对应栅极导电层和...

芯朋微申请多poly电位晶体管专利,可使输入电容和电流密度降低且可调特别是涉及一种多poly电位的绝缘双极性晶体管及其制造方法。所述多poly电位的绝缘双极性晶体管的各元胞中包括:位于第一导电类型漂移区的第一主面的元胞区和终端区,所述终端区,位于所述元胞区外圈并环绕包围所述元胞区;所述元胞区,包括:邻近沟槽内poly电位为gate电位的元胞和...

∩▽∩ 长鑫存储取得半导体晶体管专利,改善了晶体管的稳定性和可靠性长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体晶体管的制备方法和结构”的专利,授权公告号CN108074866B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示,本发明教示一种半导体晶体管的制备方法和结构,包括,半导体衬底;栅极结构,位于半导体衬底的上表面,包括栅极导电层及位于栅极导...

●▽● 京东方A申请薄膜晶体管和显示面板专利,专利技术能确保薄膜晶体管...本公开提供一种薄膜晶体管和显示面板,属于显示技术领域。本公开提供的一种薄膜晶体管包括:基底和设置在基底上的有源层和栅电极;其中,有源层包括第一部分和第二部分,第二部分的导电率大于第一部分的导电率;栅电极在基底上的正投影覆盖第一部分在基底上的正投影,且栅电极在基...

比亚迪取得CN220627813U专利,提高了透明导电氧化物薄膜的耐候性,...金融界2024年3月21日消息,据国家知识产权局公告,比亚迪股份有限公司取得一项名为“一种透明导电氧化物薄膜及晶体硅异质结太阳电池“,授权公告号CN220627813U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种透明导电氧化物薄膜及晶体硅异质结太阳电池,所述透...